Görsel mevcut değil
FMMT417TD
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
FMMT417TD Hakkında
FMMT417TD, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile çalışabilir. 40MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olan FMMT417TD, avalanche mode özelliğiyle koruma mekanizması sunmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve kontrollü saturation gerilimi (500mV) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Genel amaçlı sinyal işleme, küçük güç anahtarlaması ve lojik seviye uyarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Avalanche Mode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V