Görsel mevcut değil
FMMT417TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
FMMT417TA Hakkında
FMMT417TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). Avalanche mode çalışma kapasitesine sahip bu transistör, 100V maksimum kolektor-emitter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 330mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 25'tir ve 40MHz transition frekansı ile çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük güçlü anahtarlama devrelerinde ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Düşük saturasyon gerilimi (500mV @ 10mA) ile karakterize edilir. Kısa geçiş süresi ve düşük kolektör kaçak akımı (100nA ICBO) özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Avalanche Mode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V