Görsel mevcut değil
FMMT413TD
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
FMMT413TD Hakkında
FMMT413TD, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, avalanche mode çalışma kapasitesine sahiptir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frekansı ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilebilir. -55°C ile +150°C geniş işletme sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel uygulamalara uygundur. Düşük 150mV saturasyon voltajı ile enerji verimli tasarımlar sağlar. Radyo frekans amplifikatörleri, sinyal işleme, elektronik anahtarlar ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Avalanche Mode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V