Görsel mevcut değil
DZT853-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 6A SOT223
DZT853-13 Hakkında
DZT853-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 6A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında (1W) kullanıma uygundur. 130MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerindedir. Kolektör-emiter doyum gerilimi 340mV'tur. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Ses amplifikaşonu, güç kaynağı kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
340mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V