Görsel mevcut değil
DZT851-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 6A SOT-223
DZT851-13 Hakkında
DZT851-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 6A collector akımı ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 130MHz transition frequency ile frekans uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-261-4 paket tipi ile surface mount montajına elverişli olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 375mV satürasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetim devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
375mV @ 300mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V