Görsel mevcut değil
DZT5551Q-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 600MA SOT223
DZT5551Q-13 Hakkında
DZT5551Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). 160V Vce(BR) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir ve 600mA maksimum kolektör akımı sağlayabilir. SOT-223 yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve voltaj düzenleme entegrelerinde sürücü transistörü olarak tercih edilir. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 2W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile kompakt tasarımlarda etkili kullanım sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V