Görsel mevcut değil
DXTN3C100PSQ-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
DXTN3C100PSQ-13 Hakkında
DXTN3C100PSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük doyum voltajlı NPN bipolar junction transistördür. PowerDI50 (8-PowerTDFN) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu komponent, 3A maksimum kollektör akımı ve 100V breakdown voltajına sahiptir. 330mV maksimum doyum voltajı ve 140MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile regülatörler, driver devreler, power supply kontrol ve RF uygulamalarında tercih edilir. Geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Part Status
Active
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PowerDI5060-8 (Type Q)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
330mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V