Görsel mevcut değil
DXTN10060DFJBWQ-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS LOW SAT TRANSISTOR W-DFN2020-
DXTN10060DFJBWQ-7 Hakkında
DXTN10060DFJBWQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük saturasyon voltajlı NPN tipi bipolar transistördür. Surface mount 3-UDFN (W-DFN2020-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 4A kolektör akımı ve 60V Vce breakdown voltajı ile çalışabilir. 320mV saturasyon voltajı (200mA/4A koşullarında) ve 125MHz transition frekansı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazanç (hFE) 340 minimum değer (200mA, 2V koşullarında) sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponentin maksimum güç dağılımı 1.8W'dır. Motor sürücüleri, güç anahtar uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
3-UDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
W-DFN2020-3 (Type A)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 200mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V