Görsel mevcut değil
DXTN10060DFJBQ-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
DXTN10060DFJBQ-7 Hakkında
DXTN10060DFJBQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük doyum gerilimi (low saturation) NPN bipolar transistörüdür. 4A kolektör akımı ve 60V kesintisiz gerilim ile tasarlanmıştır. 320mV maksimum doyum gerilimi sayesinde düşük güç kaybı ve yüksek anahtarlama verimini sağlar. U-DFN2020-3 yüzey montajlı paketine sahiptir. Güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, darbe genişliği modülasyonu (PWM) uygulamaları ve dijital anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
3-UDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
U-DFN2020-3 (Type B)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 200mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V