Görsel mevcut değil
DXT5551P5-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
DXT5551P5-13 Hakkında
DXT5551P5-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). PowerDI™ 5 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 160V Vce(br)ebo diyelectric dayanımı, 600mA maksimum kolektör akımı ve 2.25W güç yayılımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki uygulamalara uygundur. 130MHz transition frequency değeri, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde kullanılabilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Tüketici elektroniği, endüstriyel denetim, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerDI™ 5
Part Status
Active
Power - Max
2.25 W
Supplier Device Package
PowerDI™ 5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V