Görsel mevcut değil
DXT5551-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
DXT5551-13 Hakkında
DXT5551-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 160V maksimum Vce diyelectric dayanımı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilmektedir. 1W maksimum güç harcaması ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Elektronik cihaz kontrolü, amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V