Görsel mevcut değil
DXT2011P5Q-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
DXT2011P5Q-13 Hakkında
DXT2011P5Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi düşük saturasyon gerilimi bipolar transistöründür. PowerDI™ 5 yüzey montajı paketinde sağlanan bu komponent, 6A collector akımı kapasitesi ve 220mV maksimum saturasyon gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ve 100V collector-emitter kırılma gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 3.2W maksimum güç yayımı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 100 @ 2A,2V minimum DC akım kazancı ile güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerDI™ 5
Part Status
Active
Power - Max
3.2 W
Supplier Device Package
PowerDI™ 5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V