Görsel mevcut değil
DXT13003DG-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 450V 1.3A SOT223
DXT13003DG-13 Hakkında
DXT13003DG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 450V kolektör-emitter gerilimi (Vce) ve 1.3A maksimum kolektör akımı (Ic) ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 700mW maksimum güç disipasyonu ve 4MHz transition frequency özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanım sağlar. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 2V'de minimum 16 olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrolü, ses amplifikasyonu ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
700 mW
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 250mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V