Görsel mevcut değil
DSS2515M-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006-3
DSS2515M-7B Hakkında
DSS2515M-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. 3-UFDFN (X1-DFN1006-3) paketinde sunulan bu komponent, 15V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile çalışır. 250MHz transition frequency ile sinyalementemin işlenmesi gereken uygulamalarda kullanılır. DC current gain değeri (hFE) 100mA'de 150V ve 2V'de 150 minimum seviyesindedir. Saturation voltajı 250mV maksimum (50mA base akımında, 500mA collector akımında) olan bu transistör, düşük güç uygulamalarında (250mW max) anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu işlevlerini yerine getirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenle kullanılabilir. Surface mount teknolojisi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-UFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
X1-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V