Görsel mevcut değil
DSM80101M-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 0.5A SOT26
DSM80101M-7 Hakkında
DSM80101M-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde bir BJT transistördür. İzole edilmiş dioda entegrasyonu ile birlikte gelen bu bileşen, 80V maksimum Vce breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektor akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 surface mount paketinde sunulan transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 600mW güç tüketebilir. 120'nin minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük işaret seviyeleri ve orta seviye akım kontrol uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel, tüketici elektronikleri ve oto uygulamalarında sinyali amplifikasyon ve anahtarlama görevlerinde yer alabilir. Bileşenin statüsü üretim dışı (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerine geçecek alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi tavsiye edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6
Part Status
Obsolete
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
SOT-26
Transistor Type
NPN + Diode (Isolated)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V