Görsel mevcut değil
DRDN005W-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 0.5A SOT363
DRDN005W-7 Hakkında
DRDN005W-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistör ve izole diyot kombinasyonudur. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. 100mA akımda minimum 100 DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Vce doyum gerilimi 10mA taban akımı ve 100mA kolektör akımında 250mV'tur. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 200mW güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Not: Bu ürün üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SOT-363
Transistor Type
NPN + Diode (Isolated)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V