Görsel mevcut değil
DPLS350E-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 3A SOT-223
DPLS350E-13 Hakkında
DPLS350E-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-223-3 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile özellikleri belirlenen bu transistör, 100MHz transition frequency değerine sahiptir. Maksimum 1W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 300mV maksimum saturation gerilimi ile düşük kayıplar sunar. Genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük güç tüketimi gereken mobil cihazlar, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V