Görsel mevcut değil
DP0150BLP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
DP0150BLP4-7B Hakkında
DP0150BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 450mW maksimum güç disipasyonu ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş ortam koşullarında kullanılabilir. 80MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştirebilir. 3-pin X2-DFN1006 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe genlikleri modülasyonu ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V