Görsel mevcut değil
DP0150BLP4-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4
DP0150BLP4-7 Hakkında
DP0150BLP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen surface mount NPN bipolar transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maximum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 3-XFDFN (DFN1006H4) paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarım gerektiren mobil cihazlar, sensör uygulamaları, sinyal yükseltici devreler ve düşük güçlü anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 450mW maximum güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V