Görsel mevcut değil
DNLS160-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
DNLS160-7 Hakkında
DNLS160-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmış olup, 300mW güç yönetme kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 270MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain özellikleriyle orta frekanslı uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Dikkat: Bu ürün yaşadığını sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
270MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V