Görsel mevcut değil
DNBT8105-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
DNBT8105-7 Hakkında
DNBT8105-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde SOT-23-3 paketine sahiptir. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150MHz transition frequency ile anahtarlama devrelerinde ve sinyal amplifikasyonunda etkin performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işletme imkanı sunar. 600mW maksimum güç tüketimi ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi, motorlar ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V