Görsel mevcut değil
DN0150BLP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
DN0150BLP4-7B Hakkında
DN0150BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük gücü gerekli uygulamalarda kullanılır. 60MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 450mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. DFN1006H4-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, gürültü hafifleme devreleri, düşük frekanslı sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma sağlayan kompakt yapısı, taşınabilir elektronik cihazlar ve IoT uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V