Görsel mevcut değil
DN0150BLP4-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3
DN0150BLP4-7 Hakkında
DN0150BLP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar transistördür. 50V maksimum Vce desmit voltajı ile 100mA kollektör akımına kadar çalışabilir. 3-XFDFN kompakt yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 60MHz transition frequency ve minimum 200 hFE akım kazancı özellikleriyle düşük frekans anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 450mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle sensör sürücüleri, ses amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Part status obsolete olduğundan, yeni tasarımlarda alternatif bileşen değerlendirmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V