Görsel mevcut değil
DN0150ALP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
DN0150ALP4-7B Hakkında
DN0150ALP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface mount DFN1006H4-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. 60MHz transition frequency'ye sahip olan bileşen, düşük güç uygulamalarında (maksimum 450mW) kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 2mA kolektör akımında ve 6V Vce'de minimum 120'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük kolektör cutoff akımı (100nA) ve 250mV satürasyon gerilimi sayesinde verimli komutasyon sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V