Görsel mevcut değil
DN0150ALP4-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
DN0150ALP4-7 Hakkında
DN0150ALP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 60MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile kontrol ve anahtarlama devrelerinde çalışabilir. DFN1006H4-3 paketinde sunulan bu bileşen yüzey montajı uygulamaları için geliştirilmiştir. 250mV saturation gerilimi ve 450mW maksimum güç derecelendirmesi ile sınırlı güç bütçesine sahip tasarımlarda entegre edilebilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon ve dijital mantık uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
450 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V