Görsel mevcut değil
DCX55-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT89-3
DCX55-13 Hakkında
DCX55-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilmektedir. 1W maksimum power dissipation kapasitesine sahip transistör, TO-243AA (SOT-89-3) paketinde sunulmaktadır. 63 minimum DC current gain değeri ile 150mA akımda 2V VCE'de çalışır. 500mV saturation voltajı sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Gürültü kontrol devreleri, aydınlatma kontrolü, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V