Görsel mevcut değil
DCP56-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
DCP56-13 Hakkında
DCP56-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı özelliklerine sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1W güç tüketimine sahip olan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uyumludur. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile genel sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 500mV maksimum saturation gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V