2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsiz.
BUJD203AD,118 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

BUJD203AD,118

Kılıf / Paket
TO-252-3
Açıklama
TRANS NPN 425V 4A DPAK

BUJD203AD,118 Hakkında

BUJD203AD,118, WeEn Semiconductors tarafından üretilen yüksek voltaj NPN BJT transistörüdür. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 425V kolektör-emiter gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 80W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilir. Düşük doyum gerilimi (1V @ 3A) ve 11 minimum DC akım kazancı ile güvenilir performans sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama kaynaklı (switching) güç uygulamaları ve yüksek voltaj amplifikatörü tasarımlarında uygun bir seçimdir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 11 @ 2A, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 80 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 425 V