Görsel mevcut değil
PHE13007,127
- Üretici
- Ween Semiconductors
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 400V 8A TO220AB
PHE13007,127 Hakkında
WeEn Semiconductors PHE13007,127 bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-220AB paketinde sunulan bileşen, 80W maksimum güç dağıtabilir ve -150°C'ye kadar çalışabilir. 350mV doyum gerilimi ile düşük kapı kayıpları sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç beslemeleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
80 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V