Görsel mevcut değil
BSR33QTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A SOT-89
BSR33QTA Hakkında
BSR33QTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-89-3 (TO-243AA) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanan bu transistör, 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. 100mV DC current gain (hFE) değeri ile amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.1W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, bu bileşeni geniş endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarına elverişli kılar. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 500mV saturation voltajı özellikleriyle switching ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Aktif üretim durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V