Görsel mevcut değil
BCX5610TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT89
BCX5610TA Hakkında
BCX5610TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 150MHz transition frekansı sayesinde sinyal işleme ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1W güç tüketimi ile genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve düşük güçlü sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel elektronik, tüketici elektroniği ve veri işleme cihazlarında sıklıkla yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V