Görsel mevcut değil
BCP5610TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT223
BCP5610TA Hakkında
BCP5610TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ile güvenilir performans sağlar. 500mV doyum voltajı düşük kayıp anahtarlama uygulamalarına uygundur. Genel amaçlı sinyal amplifikasyonu, DC ve RF anahtarlama, ses frekansı amplifikasyonu ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V