Görsel mevcut değil
BCP5610QTC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
BCP5610QTC Hakkında
BCP5610QTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1A kolektör akımı ve 80V VCEO gerilim dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. 500mV doyum gerilimi ve minimum 63 DC akım kazancı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V