Görsel mevcut değil
BCP5610QTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
BCP5610QTA Hakkında
BCP5610QTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2W güç kapasitesi ve 150MHz transition frekansı ile orta performans uygulamaları için tasarlanmıştır. 1A maksimum collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 63 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sahiptir. Vce doyum voltajı 500mV'dir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde, ses frekansı ve RF uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük kesme akımı (100nA) ile static elektrik hassasiyeti az olan tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V