Görsel mevcut değil
BCP56-6
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-223 80V 1000MA
BCP56-6 Hakkında
BCP56-6, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 2W güç yayma kapasitesine sahip bu transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında işletilmek üzere tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. Tipik anahtarlama uygulamaları, ses frekansı amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve iyi DC akım kazancı özellikleri ile güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V