Görsel mevcut değil
BCP56-10
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-223 80V 1000MA
BCP56-10 Hakkında
BCP56-10, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile tasarlanmıştır. 2W güç tüketimine kadir olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 100MHz transition frekansı sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve orta hızlı sinyalleme devrelerinde kullanılabilir. 500mV satürasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Vce(sat) = 500mV @ Ib=50mA, Ic=500mA ve DC gain (hFE) = 63 @ 150mA, 2V olan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama, darbe sürücüleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V