Görsel mevcut değil
BCP5516TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT223
BCP5516TA Hakkında
BCP5516TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT-223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile orta hızlı sinyal işleme görevlerini yerine getirebilir. -65°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda kullanılmasını uygun kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V