Görsel mevcut değil
BC860BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
BC860BE6327HTSA1 Hakkında
BC860BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisine göre tasarlanmıştır. SOT-23 (TO-236-3) küçük paketinde barındırılan bu komponent, maksimum 45V collector-emitter voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışabilmektedir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, 330mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü devreler için uygundur. DC current gain (hFE) 220 minimum değeri (2mA, 5V koşullarında) ile sinyal amplifikasyonu sağlayabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışan bu transistör, audio amplifikatörleri, ön amplifikatörler, düşük sinyal seviyesi anahtarlaması ve genel amaçlı bipolar uygulamalarında kullanılır. Dikkat: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V