Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
BC860BMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC860BMTF Hakkında
BC860BMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaksiyel silikon transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA kolektör akımı ve 150 MHz geçiş frekansı ile çalışır. 200 (minimum) DC akım kazancı ile 2mA/5V koşullarında karakterize edilmiştir. 45V kolektör-emiter gerilim kapasitesi ve 310mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli amplifikasyon devrelerinde, RF uygulamalarında ve anahtarlama devreleri tasarımında kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 15nA maksimum ICBO ile genel amaçlı transistör uygulamalarını karşılar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
310 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V