Görsel mevcut değil
BC856B/DG/B4R
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR GEN PURP
BC856B/DG/B4R Hakkında
BC856B, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 100MHz transition frequency ve 65V collector-emitter breakdown voltajı ile RF ve ses frekansı devrelerinde, sinyal işleme uygulamalarında, darbe ve sinyal kontrolü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 125 minimum DC current gain özellikleri ile kompakt tasarımlı çok sayıda tüketici elektronik ürünü, endüstriyel kontrol cihazları ve haberleşme ekipmanlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V