Görsel mevcut değil
BC856B-AU_R1_000A1
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SOT-23, TRANSISTOR
BC856B-AU_R1_000A1 Hakkında
BC856B-AU_R1_000A1, PANJIT tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum collector akımı, 200MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 65V maksimum Vce(breakdown) ve 220 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle karakterize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, darbe devreler, amplifikasyon ve genel sinyal işleme düşük güç tüketimli tasarımlarında kullanılan uygun bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V