Görsel mevcut değil
BC856B/DG/B3,235
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC856B/DG/B3,235 Hakkında
BC856B, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 100MHz transition frequency ile çalışır. 65V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW güç kapasitesi ile audio amplifikasyon, sinyal anahtarlaması ve düşük güçlü DC anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2mA collector akımında 125 minimum DC current gain (hFE) sağlar. Maximum junction sıcaklığı 150°C'dir. Obsolete durumdadır; yeni tasarımlarda yerine BC857B veya benzer alternatif transistörler kullanılması tavsiye edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V