Görsel mevcut değil
BC856A-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
BC856A-7-F Hakkında
BC856A-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup yüksek hız gerekli olan sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 65V maksimum collector-emitter voltajında ve 100mA maksimum kolektör akımında çalışabilir. 200MHz transition frequency ile hızlı komütasyon özellikleri sayesinde RF devreler, amplifikatör tasarımları, frekans dönüştürücüler ve analog sinyal işleme devreleri için uygun bir seçimdir. 300mW maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) sayesinde çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V