Görsel mevcut değil
BC850CWE6327
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
BC850CWE6327 Hakkında
BC850CWE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paket içinde gelen bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum collector akımı, 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 250 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı kontrol devrelerinde, ses amplifikatörleri, logik devreleri ve sensör ön amplifikatörlerinde tercih edilir. 420 minimum DC current gain (hFE) ile sinyal amplifikasyonunda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
PG-SOT323-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V