Görsel mevcut değil
BC850CMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BC850 - NPN EPITAXIAL SILICON TR
BC850CMTF Hakkında
BC850CMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 100mA maksimum kolektör akımı, 300MHz transition frequency ve 45V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta-frekans uygulamalarına uygundur. 310mW maksimum güç tüketimi, 420 minimum hFE kazancı (2mA, 5V'ta) ve 600mV saturasyon voltajı özellikleriyle genel amaçlı amplifikasyon ve dijital devre uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
310 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V