2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
BC850BW_R1_00001 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

BC850BW_R1_00001

Üretici
Panjit
Kılıf / Paket
Açıklama
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

BC850BW_R1_00001 Hakkında

BC850BW, PANJIT tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Genel amaçlı sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. 100 MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 250 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, lojik devre sürücüleri ve düşük güçlü elektronik devreler için uygundur. 45V maksimum kolektör-emitter voltajı kesintisiz işletme güvenliğini sağlar.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V