Görsel mevcut değil
BC849CE6327
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
BC849CE6327 Hakkında
BC849CE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 100 mA'e kadar kolektör akımı ve 420 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 250 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 30 V kolektör-emiter gerilimi ve 330 mW maksimum güç tüketimiyle, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, ses frekansı uygulamaları ve genel amaçlı dijital-analog uygulamalarda tercih edilir. -150°C'ye kadar çalışabilir ve 600 mV saturasyon gerilimi sayesinde verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V