Görsel mevcut değil
BC849BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
BC849BE6327HTSA1 Hakkında
BC849BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüksek entegrasyonlu paketinde sunulan bu komponent, 30V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 250MHz transition frekansı, 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2mA, 5V) ve 330mW maksimum güç yayılımına sahiptir. Uydu satürasyon gerilimi 600mV @ 5mA, 100mA şartlarında ölçülmüştür. Düşük güç tüketimli anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, ses frekansı devreler ve genel amaçlı güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface mount montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabilite sağlar. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V