Görsel mevcut değil
BC849BLT1
BC849BLT1 Hakkında
BC849BLT1, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency özelliği sayesinde düşük-orta hız uygulamalarında kullanılabilir. 200'lük minimum DC akım kazancı (2mA, 5V koşullarında) ile sinyal yükselten devre tasarımlarında yer alır. 300mW maksimum güç dissipasyonu ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. Düşük collector cutoff akımı (15nA) özelliği düşük sızıntı özellikleri sağlar. Anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle portatif cihazlar ve düşük güç tüketimli sistemlerde tercih edilir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
