Görsel mevcut değil
BC847BFZ-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN060
BC847BFZ-7B Hakkında
BC847BFZ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. 45V VCEO breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 435mW güç tüketimine sahiptir. Yüksek 100MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. 3-XFDFN (X2-DFN0606) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ses amplifikatörleri, uydu osilatörleri, fotodetektör uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 200 (minimum) hFE değeri ile orta düzey akım yükselimesi sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
435 mW
Supplier Device Package
X2-DFN0606-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V